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数字ic后端设计（三)

9. Dummy Metal的增加。

　　Foundry厂都有对金属密度的规定，使其金属密度不要低于一定的值，以防在芯片制造过程中的刻蚀阶段对连线的金属层过度刻蚀从而降低电路的性能。加入Dummy Metal是为了增加金属的密度。

　　10. DRC和LVS。

　　DRC是对芯片版图中的各层物理图形进行设计规则检查(spacing ,width)，它也包括天线效应的检查，以确保芯片正常流片。其中北桥芯片起着主导性的作用，也称为主桥(HostBridge)。LVS主要是将版图和电路网表进行比较，来保证流片出来的版图电路和实际需要的电路一致。DRC和LVS的检查--EDA工具 Synopsy hercules/ mentor calibre/ CDN Dracula进行的.Astro also include LVS/DRC check commands.

　　11. Tape out。

　　在所有检查和验证都正确无误的情况下把后的版图GDSⅡ文件传递给Foundry厂进行掩膜制造。

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I老化原因？C

为什么老化跟时间有关？

为什么电路速度会随时间原来越慢呢？因为断键是随机发生，需要时间积累。另外，前面提到的断裂的Si-H键是可以自己***的，所以基于断键的老化效应都有***模式。可以说接口的功能固然强大，但是问题又来了：首先，因为事务交易处理器中的方法采用了层次化应用的方式去访问对应端口的信号，所以我们只能为两个相同功能的接口分别编写两个几乎一样的事务交易处理器，为什么呢。对于NBTI效应来说，加反向电压就会进***模式；对于HCI效应来说，停止使用就进入***模式。但是这两种方式都不可能长时间发生，所以总的来说，芯片是会逐渐老化的。

为什么老化跟温度有关？

为什么电路速度跟温度也有影响呢？温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高，电子运动越剧烈，Si?HSi?H键断键几率就大。

为什么加压会加速老化？

为什么加压有影响呢？同样的晶体管，供电电压越高偏移电压越高，偏移电压越高氢原子游离越快，等于压制了自发的***效应，自然老化就快了。

数字IC功能验证

集成电路规模的飞速增长,使得集成电路功能复杂度日益提升,一方面为信息技术产业带来了生机和活力,另一方面也产生了许多问题和挑战。1二-十转换将二进制数的第N位数值乘以第N位的权重，其中第N位的权重为2?（注：m位二进制数从右向左分别记为第0,1，。集成电路的功能正确性是这些问题和挑战中的首要考虑因素,必须引起我们足够的重视。传统的功能验证主要通过验证工程师手工编写测试激励来进行,验证效率较为低下。

随着技术的发展,OVM、UVM等***的验证方法被成功引入,扩充了验证技术库。但这些验证方法主要基于信号层级或事务层级来进行,并没有从更高层次的功能点角度去考虑验证问题。南桥芯片则提供对KBC(键盘控制器)、RTC(实时时钟控制器)、USB(通用串行总线)、UltraDMA/33(66)EIDE数据传输方式和ACPI(能源管理)等的支持。功能点的标准化概括、提取和层次分解仍然存在不足,而且测试激励需要人为去进行封装和***,一定程度加大了验证平台搭建难度。为了弥补验证技术上在功能建模和激励自动生成上的缺陷,从不同角度去探究新的验证方法,课题组开展了相应的研究工作。

研究工作和技术进步主要包括以下几点:1、基于集成电路功能特点以及对功能规范的分析,针对集成电路功能验证需求,课题组共同创建了基于功能规范的功能模型F-M；针对该功能模型,开发出一套功能模型描述语言,并定义相应语***则,用以描述数字系统、IP核等模块的功能行为。学习“数字集成电路基础”是一切的开始，可以说是进入数字集成电路门槛的步。2、利用语言C/C 编写出解析编译器P-C,对上述功能模型语言进行解析,自动生成激励生成器和断言检测器,构建出SystemVerilog验证平台,自动产生测试激励。